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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 게이트-이미터 누설 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
Infineon Technologies IGBT 모듈 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode 23재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 1.23 V 200 A - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 Module with active Advanced Neutral Point Clamp topology and PressFIT / NTC 18재고 상태
최소: 1
배수: 1

Modules 1.2 kV 1.65 V 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 25 A sixpack IGBT module 2재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 35 A sixpack IGBT module 26재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 950 V, 400 A 3-level IGBT module 1재고 상태
최소: 1
배수: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 950 V, 200 A 3-level IGBT module 9재고 상태
최소: 1
배수: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 EasyPACK module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / NTC
24주문 중
최소: 1
배수: 1

Modules 1.2 kV 1.63 V 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and PressFIT / NTC
48예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1

IGBT Module 1.2 kV 1.5 V 100 nA 20 mW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 50 A sixpack IGBT module 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray