SiC 쇼트키 장벽 다이오드

ROHM Semiconductor®의 SiC(탄화 규소) 쇼트키 장벽 다이오드는 총 정전용량 전하(Qc)가 적어서 스위칭 손실이 감소하며, 고속 스위칭 작동이 가능합니다. 또한 빠르게 회복하지만 온도 변화에 따라 trr 값이 증가하는 규소 기반의 다이오드와 달리 SiC 기반의 소자는 일정한 특성을 유지하므로 더 뛰어난 성능을 발휘합니다. 따라서 EV 및 태양광 발전 컨디셔너용 인버터와 충전기 등 다양한 애플리케이션에서 중요한 장치로 사용하기에 적합합니다.

이산 반도체의 유형

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ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 15A RDL SIC SKY 499재고 상태
1,000예상 2026-06-19
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACGE-2
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 15A RDL SIC SKY 977재고 상태
최소: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FM-2
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 20A RDL SIC SKY 971재고 상태
최소: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACGE-2
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 20A RDL SIC SKY 2,234재고 상태
최소: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FM-2
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY 782재고 상태
최소: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen 561재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 650V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified 232재고 상태
최소: 1
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: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 30A RDL SIC SKY 181재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 30A, 2nd Gen 614재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247 490재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 15A RDL SIC SKY 54재고 상태
450예상 2026-03-18
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배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 20A RDL SIC SKY 1,646재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 30A, 2nd Gen 87재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247 78재고 상태
450예상 2026-06-04
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 SIC SBD 650V 15A 100W TO-263AB (LPTL) 44재고 상태
최소: 1
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: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 SIC SBD 650V 20A 125W TO-263AB (LPTL)
1,000예상 2026-04-02
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
898예상 2026-08-12
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 280m 2nd Gen TO-247
450예상 2026-08-12
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 2nd Gen TO-247 비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3