BSD 탄화 규소 쇼트키 배리어 다이오드

Bourns BSD SiC(탄화규소) SBD(쇼트키 배리어 다이오드)는 향상된 피크 순방향 서지 기능, 낮은 순방향 전압 강하, 감소된 열 저항 및 낮은 전력 손실이 필요한 고주파수 및 고전류 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 이 첨단 광대역 갭 구성 요소는 DC-DC 및 AC-DC 컨버터, 스위치 모드 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 모터 드라이브 및 기타 정류 애플리케이션에서 신뢰성, 스위칭 성능 및 효율을 높이는 데 도움이 됩니다. Bourns BSD SiC SBD는 5A ~ 10A 범위의 전류로 650V ~ 1200V의 전압 작동을 제공합니다. 이 고효율 장치는 역회복 전류가 발생하지 않아 EMI를 줄여주며, 이를 통해 SiC SBD의 에너지 손실을 크게 낮춰줍니다.

결과: 5
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
구성
If - 순방향 전류
Vrrm - 반복 역 전압
Vf - 순방향 전압
If - 순방향 서지 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Bourns SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 5A SM SCHOTTKY
데이터시트
2,542재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns SiC 쇼트키 다이오드 650V 8A High Surge SiC diode in TO252
데이터시트
4,945재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 5,000

TO-252-3 Single 8 A 650 V 2 V 48 A - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns SiC 쇼트키 다이오드 RECT 650V 10A SM SCHOTTKY
데이터시트
4,965재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT TO-252-3 Single 10 A 650 V 1.5 V 80 A - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns SiC 쇼트키 다이오드 650V 10A Low Vf SiC diode in TO263
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,200
배수: 3,200
: 3,200

Reel
Bourns SiC 쇼트키 다이오드 650V 10A High Surge SiC diode in TO252
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

SMD/SMT TO-252-3 Single 10 A 650 V 2 V 55 A - 55 C + 175 C Reel