Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.

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CEL RF 증폭기 LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB 3,237재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

CEL RF JFET 트랜지스터 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 8,092재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

CEL RF JFET 트랜지스터 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 6,766재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

CEL RF JFET 트랜지스터 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2,679재고 상태
최소: 1
배수: 1

CEL RF JFET 트랜지스터 RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12,212재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 15,000

CEL RF 증폭기 LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB 39재고 상태
200예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1

CEL RF JFET 트랜지스터 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 603재고 상태
최소: 1
배수: 1

CEL RF JFET 트랜지스터 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 118재고 상태
최소: 1
배수: 1

CEL RF JFET 트랜지스터 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 110재고 상태
15,000예상 2026-07-06
최소: 1
배수: 1
: 15,000

CEL RF JFET 트랜지스터 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

CEL RF JFET 트랜지스터 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 재고 없음
최소: 15,000
배수: 15,000
: 15,000