ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Vishay Semiconductors MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) 94재고 상태
2,400예상 2026-09-21
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220 1,085재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 131 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 81 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs TO-220
1,950예상 2026-03-23
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
33,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-75-6 N-Channel 1 Channel 100 V 6.3 A 153 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 5 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220 FULLPAK 재고 없음
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 42.8 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement ThunderFET Tube