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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장

onsemi IGBT 650V FS4 Trench IGBT
데이터시트
1,048재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 450

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQD Tube

onsemi IGBT 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
데이터시트
476재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQDT Tube

onsemi IGBT 650V FS4 Trench IGBT
데이터시트
166재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBT IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS
데이터시트
1,920주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 300

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 55 C + 175 C NGTB25N120FL3 Tube

onsemi IGBT IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
데이터시트
2,539예상 2026-07-20
최소: 1
배수: 1
최대: 90

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 80 A 454 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL3 Tube