Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.

결과: 5
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 타입
메모리 크기
데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Alliance Memory DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT
데이터시트
263재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C16M16MSA-6 Tray
Alliance Memory DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT
데이터시트
182재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile 128 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 8 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C8M16MSA-6 Tray
Alliance Memory DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C16M16MSA-6 Reel
Alliance Memory DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

SDRAM Mobile 128 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 8 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C8M16MSA-6 Reel
Alliance Memory DRAM LPSDRAM, 256M, 8MX 32, 1.8V, 90 BALL, BGA, 8 X 32MM, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP, B DIE, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 8 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel