DXTN/P 78Q 및 80Q 양극성 트랜지스터

Diodes Incorporated DXTN/P 78Q 및 80Q 양극성 트랜지스터는 30 V, 60 V 및 100 V 등급을 제공하고 까다로운 자동차 전력 스위칭 및 제어를 위해 탁월한 전도 효율과 열 성능을 제공합니다. 초저 VCE (SAT) NPN 및 PNP 양극성 트랜지스터는 12 V, 24 V 및 48 V 시스템에 이상적이며 MOSFET 및 IGBT 게이트 구동, 부하 스위칭, LDO 조절, DC-DC 변환 및 모터/액추에이터 제어와 같은 애플리케이션을 지원합니다.

결과: 12
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-베이스 전압 VCBO 이미터-베이스 전압 VEBO 콜렉터-이미터 포화 전압 Pd - 전력 발산 게인 대역폭 제품 fT 최저 작동온도 최고 작동온도 자격 시리즈 포장
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,393재고 상태
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: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 140 mV 2.4 W 260 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
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: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 135 mV 2.4 W 250 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,393재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 210 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,592재고 상태
2,000예상 2026-04-08
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: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 3,880재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,592재고 상태
2,000예상 2026-04-20
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: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,393재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 170 mV 2.4 W 315 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,393재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 220 mV 2.4 W 320 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,393재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 165 mV 2.4 W 290 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 3,785재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 130 mV 2.4 W 190 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,588재고 상태
2,000예상 2026-04-29
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 290 mV 2.4 W 180 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 양극성 트랜지스터 - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,592재고 상태
2,000예상 2026-05-08
최소: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 180 mV 2.4 W 160 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape