NVBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NVBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D7N10MCTXG
Price: 10147 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NVBLS1D7N10MCTXG

제조업체 번호:

NVBLS1D7N10MCTXG

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm

데이터시트:

NVBLS1D7N10MCTXG 데이터시트

ECAD 모델:

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	₩7,051.8	₩70,518
	₩5,270.6	₩527,060
	₩5,241.4	₩5,241,400
전체 릴(2000의 배수로 주문)
	₩4,292.4	₩8,584,800
	₩4,263.2	₩17,052,800

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	H-PSOF-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	265 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.8 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	115 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	303 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	PowerTrench
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	31 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	220 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	38 ns
시리즈:	NVBLS1D7N10MC
팩토리 팩 수량:	2000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	76 ns
표준 턴-온 지연 시간:	48 ns

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문서 필터:

데이터시트

NVBLS1D7N10MCTXG 데이터시트

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290040
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVBLS1D7N10MCTXG N-채널 PowerTrench® MOSFET

onsemi NVBLS1D7N10MCTXG N-채널 PowerTrench^® MOSFET은 높은 열 성능과 낮은 R_DS(on)을 제공하여 전도 손실을 최소화합니다. NVBLS1D7N10MCTXG는 AEC-Q101 인증 및 PPAP를 지원하여 자동차 애플리케이션에 이상적입니다.