TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7은 단락 성능/견고성이 필요한 모든 산업용 애플리케이션을 위한 광범위한 1,200V 포트폴리오를 제공합니다. IGBT7 S7은 효율적인 단락 회로 러기드 개별 IGBT로서 다른 장치보다 최소 10% 낮은 포화 전압을 제공합니다.

결과: 19
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
데이터시트
1,112재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
데이터시트
601재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
데이터시트
305재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
데이터시트
1,573재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
데이터시트
176재고 상태
240예상 2027-03-25
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
데이터시트
1,718재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
데이터시트
91재고 상태
720예상 2026-07-16
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
데이터시트
479재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube

Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
데이터시트
207재고 상태
960예상 2026-07-23
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
데이터시트
130재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
데이터시트
1,000주문 중
최소: 1
배수: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1200 V 2 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
데이터시트
1,000주문 중
최소: 1
배수: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1200 V 2 V 20 V 71 A 125 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
데이터시트
1,000주문 중
최소: 1
배수: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1200 V 2 V 20 V 85 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
데이터시트
1,000주문 중
최소: 1
배수: 1

Si PG-TO247-3-U04 Through Hole Single 1200 V 2.1 V 20 V 97 A 429 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
데이터시트
1,000주문 중
최소: 1
배수: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1200 V 1.92 V 20 V 48 A 176 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
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1,000예상 2026-06-30
최소: 1
배수: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1200 V 1.93 V 20 V 71 A 250 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
데이터시트
1,000주문 중
최소: 1
배수: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1200 V 1.94 V 20 V 97 A 357 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
데이터시트
1,000주문 중
최소: 1
배수: 1

Si PG-TO247-4-U04 Through Hole Single 1200 V 1.94 V 20 V 107 A 429 W - 40 C + 175 C Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
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475예상 2026-07-23
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube