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TC6215TG-G

Name: Microchip TC6215TG-G
Brand: Microchip Technology
SKU: 689-TC6215TG-G
Price: 2738 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

689-TC6215TG-G

제조업체 번호:

TC6215TG-G

제조업체:

Microchip Technology

설명:

MOSFET N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET

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데이터시트:

TC6215TG-G 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 2,265

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공장 리드 타임:: 4 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3300의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,738	₩2,738
	₩2,279.2	₩56,980
	₩2,057.2	₩205,720
전체 릴(3300의 배수로 주문)
	₩2,042.4	₩6,739,920

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Microchip
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOIC-8
트랜지스터 극성:	N-Channel, P-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	150 V
Id - 연속 드레인 전류:	3.8 A, 1.5 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	4 Ohms, 7 Ohms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Microchip Technology
구성:	Dual
하강 시간:	11.3 ns, 11.1 ns
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	2.3 ns, 2.3 ns
시리즈:	TC6215
팩토리 팩 수량:	3300
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel, 1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	17.2 ns, 16.2 ns
표준 턴-온 지연 시간:	2.5 ns, 2.4 ns
단위 중량:	74 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

TC6215TG-G 데이터시트 (PDF)

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KRHTS:: 8541219000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

TC6215 N- and P-Channel MOSFETs

The Microchip TC6215 N-channel and P-channel enhancement mode dual MOSFET combines an advanced vertical DMOS structure and a high-quality gate manufacturing process to provide both the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. The Microchip TC6215 consists of high voltage, low threshold N-channel and P-channel MOSFETs in an 8-lead SOIC (TG) package. Both MOSFETs included in the TC6215 have integrated back to back gate-source Zener diode clamps and guaranteed Rds(on) ratings down to 4.0V gate drive, allowing them to be driven directly with standard 5.0V CMOS logic. These Microchip devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.