TDS5311P.C

TDS5311P SurgeSwitch™ 1 라인 53 V EOS 보호 IC

Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1 라인 53 V EOS 보호 IC는 표준 TVS 장치에 비해 우수한 온도 및 클램핑 특성으로 고에너지 EOS 보호 기능을 제공하도록 설계되었습니다. 이 장치는 기본 보호 소자로 서지 정격 FET를 사용합니다. EOS 이벤트 시 이 장치의 과도 전압은 정격 항복 전압을 초과합니다. 이 경우 FET가 켜지고 접지로 과도 전류가 흐릅니다. FET의 매우 낮은 ON 저항으로 인해 TDS 클램핑 전압은 정격 피크 펄스 전류 범위에서 거의 일정합니다. 최대 피크 펄스 전류에서 클램핑 전압이 낮으므로 이 IC는 표준 TVS 다이오드보다 현재 이용되는 민감한 IC를 보호하는 데 더 적합합니다. TDS5311P는 최대 53 V의 작동 전압으로 전압 버스 또는 데이터 라인을 보호하도록 설계되었습니다. 이 장치는 최대 24 A (tp = 8/20μs)의 고에너지 과도 전류에 적합한 정격 사양을 갖추고 있으며 IEC 61000-4-5(RS = 42 Ω, CS = 0.5 μF)에 따라 ±1 kV의 공통 산업 전압 서지 표준을 충족하는 데 사용할 수 있습니다. Semtech TDS5311P은 소형 2 0 mm x 2 0 mm, 6핀 DFN 패키지로 제공되며 기존 SMAJ 및 SMBJ 패키지 장치에 비해 보드 공간을 상당히 절약합니다.