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NVMFWS004N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS004N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS004N10MCT1G
Price: 6318 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-VMFWS004N10MCT1G

제조업체 번호:

NVMFWS004N10MCT1G

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

데이터시트:

NVMFWS004N10MCT1G 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DFN-5
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	138 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	3.9 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	48 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	164 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	13 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	120 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	18 ns
시리즈:	NVMFWS004N10MC
팩토리 팩 수량:	1500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	39 ns
표준 턴-온 지연 시간:	25 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NVMFWS004N10MCT1G 데이터시트

PCN

Material Composition Disclosure

규정 준수 코드

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 말레이시아
어셈블리 원산지:: 말레이시아
COD(확산 공정 국가):: 대한민국

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

NVMFWS004N10MC 단일 N-채널 전력 MOSFET

Onsemi NVMFWS004N10MC 단일 N-채널 전력 MOSFET은 138 A 연속 드레인 전류, 10 V R_DS(ON) 에서 3.9 mΩ 및 100 V 드레인-소스 전압을 제공합니다. NVMFWS004N10MC는 콤팩트하고 효율적인 설계를 위해 개발된 5mm x 6mm 평면 리드 패키지로 제공됩니다. onsemi AEC-Q101 인증 MOSFET은 PPAP 가능하며 자동차 애플리케이션에 이상적입니다.

주요 제품

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N채널 MOSFET

낮은 RDS_(on)및 낮은 게이트 임계값을 특징으로 하며 ESD 보호 기능이 통합되어 있습니다.

NVNJWS1K6N061L N채널 MOSFET 에 대해

NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET

고전압 작동에 최적화되어 있으며 빠른 스위칭과 고전류 스트레스를 견딜 수 있습니다.

NVBYST0D8N08X 단일 N-채널 전력 MOSFET 에 대해

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

고속 스위칭 애플리케이션을 위해 낮은 Rg로 설계된 이중 N-채널 MOSFET.

NTMFD0D9N02P1E MOSFET 에 대해

NVMFD5873NL 듀얼 N-채널 전력 MOSFET

높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.

NVMFD5873NL 듀얼 N-채널 전력 MOSFET 에 대해

NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET

이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 Q_RR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.

NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET 에 대해

재고 상태: 2,988

재고:: 2,988 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 53 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩6,318	₩6,318
	₩3,322.8	₩33,228
	₩3,010.8	₩301,080
	₩2,480.4	₩1,240,200
	₩2,199.6	₩2,199,600
전체 릴(1500의 배수로 주문)
	₩2,199.6	₩3,299,400

NVMFWS004N10MCT1G

제조업체: onsemi

설명: MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

사양

설명서 (3)

데이터시트

PCN

환경 문서

제품 및 무역 규정 준수

추가 정보

NVMFWS004N10MC 단일 N-채널 전력 MOSFET

고객이 함께 구입한 제품:

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재고 상태: 2,988

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