NVH4L050N170M1 SiC(탄화 규소) MOSFET

onsemi NVH4L050N170M1 탄화규소(SiC) MOSFET은 VGS =20 V에서53 mΩ의 표준 RDS(on)으로 탁월한 성능을 제공합니다. onsemi NVH4L050N170M1 MOSFET은 20V 게이트 드라이브에 최적화되어 있습니다. 또한 이 장치는 네거티브 게이트 전압 드라이브와 턴오프 스파이크 감소 기능을 갖춘 18 V 게이트 드라이브와 함께 효과적으로 작동합니다. 이 장치는 초저 총 게이트 전하(105nC), 낮은 정전용량(Coss =98 pF)의 고속 스위칭, 100% 애벌런치 테스트를 통해 안정성을 제공합니다.

검색된 결과가 없습니다..
아래의 검색어를 수정하여 다시 시도하시거나 당사 지원 센터를 방문하십시오.
검색 제안
  • 부품 번호 또는 키워드의 철자 확인
  • 더 적거나 다른 키워드 사용
  • 한 번에 부품 번호 1개 검색
  • 한 번에 필터 1개 적용
제품 및 제조사
다른 질문이 있으십니까?