CGHV40200PP

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Mouser 번호:

941-CGHV40200PP

제조업체 번호:

CGHV40200PP

제조업체:

MACOM

설명:

GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

데이터시트:

CGHV40200PP 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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배송 제한:

현재 Mouser는 귀하의 거주 지역에서는 이 제품을 판매하지 않습니다.

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	MACOM
제품 카테고리:	GaN FET
배송 제한:	현재 Mouser는 귀하의 거주 지역에서는 이 제품을 판매하지 않습니다.
RoHS:
장착 스타일:	Screw Mount
패키지/케이스:	440199
트랜지스터 극성:	N-Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	150 V
Id - 연속 드레인 전류:	8.7 A
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	- 3 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	166 W
최대 작동 주파수:	1.9 GHz
최소 작동 주파수:	1.7 GHz
기술:	GaN
브랜드:	MACOM
구성:	Single
개발 키트:	CGHV40200PP-AMP1
이득:	16.1 dB
출력 전력:	250 W
포장:	Tray
제품 유형:	GaN FETs
팩토리 팩 수량:	25
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	GaN HEMT
Vgs - 게이트 소스 항복 전압:	- 10 V, 2 V

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

CGHV40200PP 데이터시트 (PDF)

PCN

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규정 준수 코드

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

원산지 분류

COO(원산지):: 미국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

CGHV40200PP GaN HEMT

Wolfspeed/Cree CGHV40200PP GaN HEMT(고전자 이동도 트랜지스터)는 50V 레일에서 작동하고 RF 및 마이크로파 애플리케이션에 대한 광대역 솔루션을 제공합니다. Gan HEMT는 높은 효율, 높은 이득, 넓은 대역폭 성능을 제공합니다. 이러한 특징 덕분에 CGHV40200PP는 선형 및 압축 증폭기 회로에 이상적입니다. CGHV40200PP GaN HEMT는 4-리드 플랜지 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 양방향 무선, 광대역 증폭기, 레이더 증폭기, 테스트 계측기 등에 사용됩니다.
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