150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs are designed with high-speed switching and operate from 4A to 125A continuous drain current. These enhancement-mode MOSFETs are non-automotive devices that operate from -55°C to 175°C junction and storage temperature range. The 150V N-channel MOSFETs are 100% avalanche tested and 100% Rg tested. These N-channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0. The 150V N-channel MOSFETs are ideal for Battery Management Systems (BMS), Brushless Direct Current (BLDC), and Switch Mode Power Supplies (SMPS).

결과: 6
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 9 A 54 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 10.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 1,893재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Tube
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 90 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 40 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 52 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si Reel
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 4 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel