LTR High Power Chip Resistors

ROHM Semiconductors LTR High Power Chip Resistors feature superior junction reliability and high-rated power up to 2W. The ROHM Semiconductors series also offers high joint reliability with long side terminations. ROHM Semiconductors LTR High Power Chip Resistors are ideally suited for current detection in power supplies, automotive systems, motors, and other applications.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 0805 2.4Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
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배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 전류 감지 저항기 - SMD High-Power/Wide-Terminal/Anti-Surge Chip Resistor, 1220mm, 0.5W, 150V, +/-1%, 30.0 Ohm 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 0805 62ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 0805 9.1ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
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: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 0805 180ohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 0805 270ohm 5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
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: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 100Kohm 0.5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 130ohm 0.5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 240ohm 0.5% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 2.26Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 2.43Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 270Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 2.8Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
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배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 2.94Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
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ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 332ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 3.6Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
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배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 37.4ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 392ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
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배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 3.4ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
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배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 412ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
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배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 511ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
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배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 562ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 649ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 6.2ohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor 후막 저항기 - SMD 1206 8.66Kohm 1% Rev Term AEC-Q200 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000