Standard Sync SRAM

Infineon Technologies Standard Synchronous SRAM consists of Synchronous Burst SRAM with a maximum speed of 250MHz, core voltages up to 3.3V, and densities up to 72Mb. The offering is available in bus widths of x18, x36, and x72 in TQFP100, BGA119, and FBGA165 industry-standard packages. Standard Synchronous Burst SRAM devices are used in industrial electronics, instrumentation, and military applications. They are often used as data buffers (temporary storage) and can be accessed randomly through their high-speed, Single Data Rate (SDR) interface. The Standard Synchronous Burst SRAM is ideal for read-intensive operations due to their low latency and common I/O. Designers have a choice between Flow-through or Pipelined architectures. Flow-through parts offer lower latencies, and pipelined parts offer higher operating frequencies, allowing users to select the optimal memory for their application.

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Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 304재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 163 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 133MHz SRAM 158재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 105재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 129 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync SRAM 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 129 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 2.6 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 200MHz Sync SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 360
배수: 360

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 4.6v 200MHz SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210
없음
72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 250MHz Sync SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 210
배수: 210
없음
72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray