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FDB0250N807L

Name: onsemi FDB0250N807L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB0250N807L
Price: 4789 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

512-FDB0250N807L

제조업체 번호:

FDB0250N807L

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

데이터시트:

FDB0250N807L 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-263-7
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	80 V
Id - 연속 드레인 전류:	240 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	6 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
Qg - 게이트 전하:	143 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	214 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	PowerTrench
포장:	Reel
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	39 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	113 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	64 ns
시리즈:	FDB0250N807L
팩토리 팩 수량:	800
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	79 ns
표준 턴-온 지연 시간:	45 ns
단위 중량:	1.600 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

FDB0250N807L 데이터시트 (PDF)

PCN

규정 준수 코드

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 대한민국
어셈블리 원산지:: 중국
COD(확산 공정 국가):: 대한민국

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

FDB0250N807L N채널 MOSFET

onsemi FDB0250N807L N채널 MOSFET는 고급 PowerTrench^® 프로세스를 사용하여 온 상태 저항을 최소화합니다. 이 프로세스는 산업용 애플리케이션에 대한 우수한 견고성과 스위칭 성능을 유지합니다. 빠른 스위칭 속도, 낮은 게이트 충전, 고전력 및 전류 처리 성능 등의 특징이 있습니다. FDB0250N807L MOSFET는 산업용 모터 드라이브, 전원 공급 장치, 배터리 작동식 도구, 부하 스위치, UPS 및 에너지 인버터에 사용됩니다.