R6004PND3FRATL

ROHM Semiconductor
755-R6004PND3FRATL
R6004PND3FRATL

제조업체:

설명:
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 1st Gen, for Auto

ECAD 모델:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩5,095.4 ₩5,095
₩3,255.8 ₩32,558
₩2,555 ₩255,500
₩2,350.6 ₩1,175,300
₩2,131.6 ₩2,131,600
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩1,912.6 ₩4,781,500
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제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
600 V
4 A
1.8 Ohms
- 25 V, 25 V
4.5 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
65 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: ROHM Semiconductor
구성: Single
하강 시간: 39 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 28 ns
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 44 ns
표준 턴-온 지연 시간: 23 ns
부품번호 별칭: R6004PND3FRA
단위 중량: 330 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not
intended for volume automotive production without ROHM
Semiconductors prior approval.

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales
Representative for further assistance.

5-0617-50

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

R6004PND3FRA 600V N-채널 자동차용 MOSFET

ROHM Semiconductor R6004PND3FRA 600V N-채널 자동차용 MOSFET은 빠른 전환 속도를 제공하는 낮은 온 저항 MOSFET입니다. ROHM Semiconductor의 MOSFET은 간단한 드라이브 회로를 통합하고 있으며 AEC-Q101 인증을 받았습니다. R6004PND3FRA MOSFET은 1.8Ω 드레인-소스 저항(RDS(온)), ±4A 연속 드레인 전류(ID)와 65W 전력 손실(PD)을 제공합니다. 이 MOSFET은 스위칭 전원장치에 이상적입니다.