IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

결과: 4
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
데이터시트
24,428재고 상태
20,800예상 2026-07-09
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
데이터시트
18,218재고 상태
16,000예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
데이터시트
1,507재고 상태
2,000예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 55 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
데이터시트
527재고 상태
1,600예상 2026-06-29
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 63 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel