수정 및 MEMS 기반 PureSilicon™ 발진기

Microchip Technology 수정 및 MEMS 기반 PureSilicon™ 발진기는 다양한 산업 표준 설치 공간에서 사용 가능합니다. 이 광범위한 제품 포트폴리오에 저전력 또는 저지터 애플리케이션을 지원하기 위한 다중 출력의 고도로 유연한 수정 및 MEMS 단일 칩 발진기가 포함됩니다.

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선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12.8MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, 0 to 70C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 30MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 33MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 38.4MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 54MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24.5455MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 29.5MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 47.3885MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 1.8432MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 13.3333MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVDS -40C-105C5C
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1