UCC21710 절연 게이트 드라이버
Texas Instruments UCC21710 절연 게이트 드라이버는 최대 1,700V SiC MOSFET 및 IGBT를 구동하도록 설계된 갈바닉 절연 단일 채널 게이트 드라이버입니다. 고급 통합 보호, 동급 최고의 동적 성능 및 견고성을 갖추고 있습니다. UCC21710은 최대 ±10A의 피크 소스 및 싱크 전류를 제공합니다. 입력 측은 SiO2 용량성 절연 기술이 적용된 출력 측에서 분리되어 최대 1.5kVRMS 의 작동 전압, 12.8kVPK 서지 내성을 지원하며 40년 이상의 절연 배리어 수명을 제공할뿐아니라 낮은 부품 간 스큐와 150V/ns 이상의 CMTI(공통 모드 잡음 내성)를 제공합니다.
