600V 4세대 PrestoMOS 초접합 MOSFET

ROHM Semiconductor의 600V 4세대 PrestoMOS™ Super Junction MOSFET은 고유의 특허 기술을 활용하여 기생 다이오드를 가속화하고 초고속 역회복 특성을 달성하여 낮은 소비전력을 달성합니다. PrestoMOS 설계를 통해 IGBT 구현과 비교할 때 경부하에서 약 58%의 전력 손실이 있습니다. 또한 MOSFET을 ON하는 데 필요한 기준 전압을 높이면 손실의 주요 원인 중 하나인 Self-Turn-ON을 방지할 수 있습니다. 최적화된 내장 기생 다이오드는 초접합 MOSFET 고유의 소프트 복구 지수를 향상시켜 오작동을 유발할 수 있는 잡음을 줄입니다.

결과: 14
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 12A N-CH MOSFET 2,029재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 105A N-CH MOSFET 1,959재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 114 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 650V 39A N-CH MOSFET 5,000재고 상태
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 10A N-CH MOSFET 1,963재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 204 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 39A N-CH MOSFET 1,904재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 42A N-CH MOSFET 2,025재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 165A N-CH MOSFET 1,153재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 55 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 231A N-CH MOSFET 1,190재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 165A N-CH MOSFET 2,042재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO3P 650V 165A N-CH MOSFET 567재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 99 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 72A N-CH MOSFET 2,003재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 72A N-CH MOSFET 1,969재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover 720재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 51 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 105A N-CH MOSFET
1,000예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 114 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement Tube