SBR20E100CT

Name: Diodes Incorporated SBR20E100CT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBR20E100CT
Price: 2006 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

621-SBR20E100CT

제조업체 번호:

SBR20E100CT

제조업체:

Diodes Incorporated

설명:

쇼트키 다이오드 및 정류기 20A SBR 100Vrrm 120Vrwm 180Ifsm

데이터시트:

SBR20E100CT 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩1,226.6	₩12,266
	₩814.7	₩81,470
	₩694.6	₩347,300
	₩627.8	₩627,800
	₩559.4	₩1,398,500

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Diodes Incorporated
제품 카테고리:	쇼트키 다이오드 및 정류기
RoHS:
REACH - SVHC:
제품:	Schottky Rectifiers
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220AB-3
구성:	Dual Anode Common Cathode
기술:	Si
If - 순방향 전류:	20 A
Vrrm - 반복 역 전압:	100 V
Vf - 순방향 전압:	850 mV
If - 순방향 서지 전류:	250 A
Ir - 역 전류:	100 uA
최저 작동온도:	- 65 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	SBR20E100
포장:	Tube
브랜드:	Diodes Incorporated
제품 유형:	Schottky Diodes & Rectifiers
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Diodes & Rectifiers
Vr - 역 전압:	100 V
단위 중량:	1.850 g

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문서 필터:

데이터시트

SBR20E100CT 데이터시트 (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

규정 준수 코드

KRHTS:: 8541109000
CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 중국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

SBR20E100x 슈퍼 배리어 정류기

Diodes Inc. SBR20E100x 슈퍼 배리어 정류기는 고온에서 우수한 역방향 안정성을 통해 낮은 정방향 전압 강하(VF)를 제공합니다. 이 정류기는 성형된 플라스틱 TO-220AB 케이스로 구성되어 있으며 무광택 주석 열처리 구리 리드 프레임을 사용합니다. 특허 받은 SBR 기술은 우수한 애벌랜치 기능, 및 견고하고 신뢰성 있는 엔드 애플리케이션을 제공합니다. SBR20E100x 정류기는 DC-DC 컨버터 및 AC-DC 어댑터/충전기를 위한 정류, 프리휠링 또는 극성 보호 장치로서 사용되도록 설계되었습니다. 다른 특징으로 무연 마무리, ROHS 준수, 무할로겐 및 무안티몬의 그린 장치가 있습니다.자세히 알아보기
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SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR^® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.