BD5250G-1TR

ROHM Semiconductor
755-BD5250G-1TR
BD5250G-1TR

제조업체:

설명:
감시 회로 ICs, Power Management, Nano Energy™, 5.0V, Adjustable Delay Voltage Detector

ECAD 모델:
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ROHM Semiconductor BD5250G-1TR
ROHM Semiconductor
감시 회로 ICs, Power Management, Nano Energy™, 5.0V, Adjustable Delay Voltage Detector

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ROHM Semiconductor
제품 카테고리: 감시 회로
RoHS:  
Voltage Detector
SMD/SMT
SSOP-5
5 V
1 Input
Open Drain
No Manual Reset
No Watchdog
No Backup
55.5 ms
7 V
- 40 C
+ 85 C
0.9 %
Reel
Cut Tape
브랜드: ROHM Semiconductor
칩 지원 신호: No Chip Enable
작동 공급 전류: 270 nA
과전압 임계값: 5.045 V
전력 오류 감지: No
제품 유형: Supervisory Circuits
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
저전압 임계값: 4.955 V
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CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

BD5250G-1TR 전압 감지기(리셋) IC

ROHM Semiconductor BD5250G-1TR 전압 감지기(리셋) IC는 N채널 오픈 드레인 출력 유형이 있는 자유 시간 지연 설정 CMOS 감지기 IC입니다.이 IC는 0.1V 증분으로 0.9V~5V 전압 범위를 감지하고 최대 85 °C의 온도에서 작동합니다   BD5250G-1TR IC는 Nano Energy™, ±30% 시간 지연 정확도, 270nA 표준 초저 소비 전류 및 70mA 출력 전류가 특징입니다. 이 감지기 IC는 SSOP5 패키지 및 2.90mm x 2.80mm x 1.25mm 크기로 제공됩니다. BD5250G-1TR IC는 전압 감지가 필요한 소비자 장치에 사용됩니다.