STDRIVEG612 600 V 하프 브리지 게이트 드라이버

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V 고속 하프 브리지 게이트 드라이버는 향상된 모드 GaN(생성적 적대 네트워크) HEMT를 구동하는 5V에 맞게 최적화되어 있습니다. 하이 사이드 드라이버 섹션은 최대 600V의 전압 레일을 지원하도록 설계되었으며 통합형 부트스트랩 다이오드로 쉽게 공급할 수 있습니다. STDRIVEG612는 고전류 성능, 뛰어남 지연 정합으로 짧은 전파 지연 시간과 통합된 LDO로 인해 고속 GaN(생성적 적대 네트워크) 구동에 최적화되어 있습니다.

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수량 RoHS
STMicroelectronics 게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
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1,000예상 2026-02-25
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000
STMicroelectronics STDRIVEG612Q
STMicroelectronics STMicroelectronics High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
데이터시트
재고 없음
최소: 4,900
배수: 4,900