N-channel MDmesh V Power MOSFET

STMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding RDS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products to offer greater energy savings, superior power density, and more compact applications. This new technology will help product designers tackle emerging challenges such as the high-efficiency targets of new eco-design directives, and will also benefit the renewable energy sector by saving vital watts normally lost in power-control modules. 

이산 반도체의 유형
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STMicroelectronics MOSFET MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
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1,330재고 상태
MouseReel 사용가능
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
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441재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
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229재고 상태
1,000예상 2026-04-06
최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
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137재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
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703재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
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15재고 상태
600예상 2026-03-09
최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
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600재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
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23재고 상태
267주문 중
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET 모듈 N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
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800주문 중
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MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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3,951예상 2026-03-16
최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
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2,979예상 2026-09-28
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 88 A MDmesh M5 Power MOSFET in a ISOTOP package
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399예상 2026-11-23
최소: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
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1,200예상 2026-03-09
최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 65V 33A MDMESH
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44재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
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비재고 리드 타임 14 주
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최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V MDMesh M5
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
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비재고 리드 타임 14 주
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배수: 1,000
릴: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3