1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 이산 트랜지스터

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 이산 트랜지스터는 마이크로 패턴 트렌치 기술로 설계된 7세대 1,200V TRENCHSTOP™ IGBT입니다. 이 이산 IGBT는 혹독한 환경에서 높은 수준의 제어성, 낮은 전도 손실, 낮은 스위칭 손실, 향상된 EMI 성능, 가혹한 환경에서의 습도 견고성을 제공합니다. IGBT7 H7 이산 트랜지스터를 사용하면 우수한 스위칭 동작을 유지하면서 낮은 게이트 저항기(5Ω 미만)를 선택할 수 있습니다. 이 트랜지스터는 고속 EV 충전, 산업용 난방 및 용접, UPS(무정전 전원 장치) 애플리케이션에 사용됩니다.

결과: 16
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
최대 게이트 이미터 전압
시리즈
포장
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
데이터시트
451재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
데이터시트
650재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
데이터시트
288재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
데이터시트
694재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
데이터시트
839재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
데이터시트
319재고 상태
480예상 2026-04-23
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
데이터시트
435재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
데이터시트
350재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
데이터시트
109재고 상태
240예상 2026-04-06
최소: 1
배수: 1

Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
데이터시트
187재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
데이터시트
347재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
데이터시트
208재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
데이터시트
71재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
데이터시트
82재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
데이터시트
3재고 상태
720주문 중
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
데이터시트
2재고 상태
720예상 2026-06-18
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube