NxJS3151P 단일 P-채널 전력 MOSFET

onsemi NxJS3151P단일 P-채널 전력 MOSFET은 효율적인 스위칭 애플리케이션을 위해 설계된 고성능 MOSFET입니다. 이 onsemi MOSFET은 2mm x 2mm의 소형 SC-88(SOT-363) 패키지에 들어 있으며, -4.5V에서 단 45mΩ의 낮은 RDS(on)을 제공하여 전도 손실을 줄이고 열 성능을 개선합니다. 최대 드레인 전류가-3.3 A이고 드레인 소스 전압 정격이-12 V인 NxJS3151P장치는 휴대용 및 배터리 구동 장치의 부하 전환에 매우 적합합니다. onsemi NxJS3151P단일 P 채널 전력 MOSFET은 초저 게이트 전하와 빠른 스위칭 특성으로 에너지 효율이 향상되어 전력 밀도와 신뢰성이 중요한 공간 제약적인 설계에 이상적입니다.

결과: 3
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
onsemi MOSFET 12V 3.3A P-Channel
데이터시트
12,925재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 133 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 8.6 nC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 12V 3.3A 60MOHM
데이터시트
2,400재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 P-Channel 1 Channel 12 V 2.7 A 160 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 8.6 nC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 12V 3.3A P-Channel
데이터시트
제품 코멘트
2,890재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 133 mOhms - 12 V, 12 V - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape