RGTV 650V 필드 스톱 트렌치 IGBT

ROHM Semiconductor RGTV 650 V 필드 스톱 트렌치 IGBT는 소형 패키지에 낮은 콜렉터-이미터 포화 전압을 제공합니다. RGTV IGBT는 고속 스위칭, 낮은 스위칭 손실 및 단락 내성 시간 2μs가 특징 입니다. ROHM RGTV 650 V 필드 스톱 트렌치 IGBT는 태양광 인버터, UPS, 용접, IH 및 PFC 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 7
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
ROHM Semiconductor IGBT 650V 60A Field Stop Trench IGBT
데이터시트
439재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
데이터시트
449재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
데이터시트
846재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
데이터시트
456재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
데이터시트
399재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
데이터시트
450재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
데이터시트
450재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube