700V CoolGaN™ G4 전력 트랜지스터

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4 전력 트랜지스터는 고전류, 고전압 고장 및 높은 스위칭 주파수를 허용하는 특성을 가진 강화 모드 GaN-on-Si 전력 트랜지스터입니다. GaN System은 고전류 다이와 높은 수율을 실현하는 특허받은 아일랜드 기술® 셀 레이아웃과 같은 업계 최고의 발전으로 혁신합니다. 이러한 700V CoolGaN 전력 트랜지스터는 전력 스위칭에서 초전력 밀도 설계와 높은 시스템 효율을 가능하게 합니다. GS-065 전력 트랜지스터는 하단 냉각 PDFN 패키지로 제공됩니다. 이 전력 트랜지스터는 접합-케이스 열 저항이 매우 낮으므로 까다로운 고전력 애플리케이션에 이상적입니다. 데이터 센터 및 컴퓨팅 솔루션, 전원 어댑터, LED 조명 드라이버, 스위칭 모드 전원 장치, 무선 전력 전송, 모터 드라이브 등이 여기에 해당합니다.

결과: 7
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
채널 모드
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
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294재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 250

SMD/SMT TOLL-11 N-Channel 1 Channel 700 V 40 A 58 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
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287재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
데이터시트
88재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 15.2 A 138 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
데이터시트
124재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 23 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 4.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
데이터시트
744예상 2026-02-26
최소: 1
배수: 1
릴: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 4.6 A 455 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 800 pC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
데이터시트
249예상 2026-06-08
최소: 1
배수: 1
릴: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
데이터시트
리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
릴: 250

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 12.2 A 180 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement