GaN FET – Mouser 대한민국

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700V CoolGaN™ G4 전력 트랜지스터

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4 전력 트랜지스터는 고전류, 고전압 고장 및 높은 스위칭 주파수를 허용하는 특성을 가진 강화 모드 GaN-on-Si 전력 트랜지스터입니다. GaN System은 고전류 다이와 높은 수율을 실현하는 특허받은 아일랜드 기술^® 셀 레이아웃과 같은 업계 최고의 발전으로 혁신합니다. 이러한 700V CoolGaN 전력 트랜지스터는 전력 스위칭에서 초전력 밀도 설계와 높은 시스템 효율을 가능하게 합니다. GS-065 전력 트랜지스터는 하단 냉각 PDFN 패키지로 제공됩니다. 이 전력 트랜지스터는 접합-케이스 열 저항이 매우 낮으므로 까다로운 고전력 애플리케이션에 이상적입니다. 데이터 센터 및 컴퓨팅 솔루션, 전원 어댑터, LED 조명 드라이버, 스위칭 모드 전원 장치, 무선 전력 전송, 모터 드라이브 등이 여기에 해당합니다.

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결과: 7

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Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

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부품 번호

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-030-6-LL-MR
Infineon Technologies
1: ₩14,029.6
234재고 상태
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-030-6-LL-MR

Mouser 부품 번호
499-GS-065-030-LL-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

234재고 상태

컷 테이프

₩14,029.6

₩10,138.4

₩7,189.6

릴

₩7,189.6

₩6,642.4

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

TOLL-11

N-Channel

1 Channel

700 V

40 A

58 mOhms

- 10 V, + 7 V

2.6 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-014-6-L-MR
Infineon Technologies
1: ₩8,846.4
88재고 상태
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-014-6-L-MR

Mouser 부품 번호
499-GS065-014-6-L-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

88재고 상태

컷 테이프

₩8,846.4

₩5,928

₩4,210.4

릴

₩4,210.4

₩4,195.2

보기

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

PDFN-6

N-Channel

1 Channel

700 V

15.2 A

138 mOhms

- 10 V, + 7 V

2.6 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-004-6-L-MR
Infineon Technologies
1: ₩5,532.8
764재고 상태
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-004-6-L-MR

Mouser 부품 번호
499-GS065-004-6-L-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

764재고 상태

컷 테이프

₩5,532.8

₩3,450.4

₩2,234.4

릴

₩2,234.4

₩1,945.6

보기

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

PDFN-6

N-Channel

1 Channel

700 V

4.6 A

455 mOhms

- 10 V, + 7 V

2.6 V

800 pC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-011-6-L-MR
Infineon Technologies
1: ₩8,405.6
165재고 상태
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-011-6-L-MR

Mouser 부품 번호
499-GS065-011-6-L-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

165재고 상태

컷 테이프

₩8,405.6

₩6,034.4

₩4,043.2

릴

₩4,043.2

₩3,359.2

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

PDFN-6

N-Channel

1 Channel

700 V

12.2 A

180 mOhms

- 10 V, + 7 V

2.6 V

2.2 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-014-6-LR-MR
Infineon Technologies
1: ₩8,983.2
55재고 상태
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-014-6-LR-MR

Mouser 부품 번호
499-GS065014-6-LR-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

55재고 상태

컷 테이프

₩8,983.2

₩6,019.2

₩4,301.6

릴

₩4,301.6

₩4,286.4

보기

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

PDFN-8

N-Channel

1 Channel

700 V

15.2 A

138 mOhms

- 10 V, + 7 V

2.6 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-018-6-LR-MR
Infineon Technologies
1: ₩12,540
83재고 상태
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-018-6-LR-MR

Mouser 부품 번호
499-GS065018-6-LR-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

83재고 상태

컷 테이프

₩12,540

₩8,071.2

₩5,973.6

릴

₩5,973.6

₩5,350.4

보기

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

PDFN-8

N-Channel

1 Channel

700 V

23 A

90 mOhms

- 10 V, + 7 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

GS-065-011-6-LR-MR
Infineon Technologies
1: ₩7,660.8
비재고 리드 타임 18 주
수명 종료

제조업체 부품 번호
GS-065-011-6-LR-MR

Mouser 부품 번호
499-GS065011-6-LR-MR

수명 종료

Infineon Technologies

GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS

Infineon Technologies infineon 700v coolgan power transistors 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 18 주

컷 테이프

₩7,660.8

₩6,201.6

₩3,465.6

릴

₩3,465.6

₩3,450.4

최소: 1
배수: 1

: 250

SMD/SMT

PDFN-8

N-Channel

1 Channel

700 V

12.2 A

180 mOhms

- 10 V, + 7 V

2.6 V

2.2 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

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