SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET® III MOSFET은 충전 균형 기술의 고전압(TJ = 150ºC에서 700V) 초접합(SJ) MOSFET입니다. 이 기술은 낮은 온저항(59mΩ 또는 62mΩ RDS(on), 일반) 및 낮은 게이트 전하(78nC Qg 일반)로 우수한 성능을 제공합니다. SuperFET III MOSFET은 전도 손실을 최소화하도록 설계되었으며 탁월한 스위칭 성능, 및 드레인 소스 전압(dv/dt)의 극한 상승율에 대한 내성을 제공합니다. Fairchild SuperFET III은 소형화 및 고효율성을 위한 다양한 전력 시스템에 매우 적합합니다.

결과: 127
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO247 PKG
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309재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 27.4 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SuperFET3 650V 23 mOhm
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35재고 상태
900예상 2026-03-27
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 222 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm, TO247 PKG
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328재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm,TO220 PKG
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1,233재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 79 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
데이터시트
344재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG
데이터시트
630재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 144 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG
데이터시트
721재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-4
데이터시트
450재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
데이터시트
9재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 32 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 159 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 67MOHM T
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68재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 67 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF3 FAST 95MOHM PQFN88
데이터시트
2,850재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M
데이터시트
434재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TF220
데이터시트
25재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 62 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 190MOHM TO-220F
데이터시트
424재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
데이터시트
20재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET SF3 650V EASY 260MOHM D2
데이터시트
473재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape


onsemi MOSFET SF3 FRFET AUTO 40MOHM T
데이터시트
12재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 160 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 650V EASY 40MOHM TO-
데이터시트
134재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
데이터시트
754재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
데이터시트
10재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
데이터시트
32재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 27.4 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 259 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
데이터시트
26재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 158 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET 650V 64MOHM MOSFET
데이터시트
6,000예상 2026-10-16
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 82 nC - 55 C + 150 C 260 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 90MOHM PQFN88
데이터시트
2,998예상 2027-02-03
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 66 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PQFN88 PKG, 99mohm 650V, SuperFET3
데이터시트
21,000구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000
Si SMD/SMT Power-88-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 87 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement SuperFET III Reel