SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET® III MOSFET은 충전 균형 기술의 고전압(TJ = 150ºC에서 700V) 초접합(SJ) MOSFET입니다. 이 기술은 낮은 온저항(59mΩ 또는 62mΩ RDS(on), 일반) 및 낮은 게이트 전하(78nC Qg 일반)로 우수한 성능을 제공합니다. SuperFET III MOSFET은 전도 손실을 최소화하도록 설계되었으며 탁월한 스위칭 성능, 및 드레인 소스 전압(dv/dt)의 극한 상승율에 대한 내성을 제공합니다. Fairchild SuperFET III은 소형화 및 고효율성을 위한 다양한 전력 시스템에 매우 적합합니다.

결과: 127
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M
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5,725재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 250MOHM TO-220F
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991재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V FRFET82MO
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450재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
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903재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG
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786재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
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1,228재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 19MOHM TO-247-4
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438재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19.3 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 282 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 40MOHM TO-247-4
데이터시트
896재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 800V 360MOHM TO-220
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607재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 25.3 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 650V EASY 29MOHM TO-
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251재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 29 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 201 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 FRFET HF VERSION 82M
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1,271재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm
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2,484재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT Power-88-4 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 125MOHM
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352재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M
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494재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88
데이터시트
960재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220
데이터시트
507재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
데이터시트
345재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 82MOHM
데이터시트
2,279재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220
데이터시트
885재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 66 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SF3 650V 125MOHM E TO220
데이터시트
352재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 95MOHM T
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214재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 360MOHM TO-220F
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769재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
데이터시트
569재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 650V 165MOHM 19A
데이터시트
414재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 154 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF3 800V 360MOHM TO-220F
데이터시트
736재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 25.3 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement Tube