SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET® III MOSFET은 충전 균형 기술의 고전압(TJ = 150ºC에서 700V) 초접합(SJ) MOSFET입니다. 이 기술은 낮은 온저항(59mΩ 또는 62mΩ RDS(on), 일반) 및 낮은 게이트 전하(78nC Qg 일반)로 우수한 성능을 제공합니다. SuperFET III MOSFET은 전도 손실을 최소화하도록 설계되었으며 탁월한 스위칭 성능, 및 드레인 소스 전압(dv/dt)의 극한 상승율에 대한 내성을 제공합니다. Fairchild SuperFET III은 소형화 및 고효율성을 위한 다양한 전력 시스템에 매우 적합합니다.

결과: 127
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장

onsemi MOSFET SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG 846재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 159 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 144 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M 5,725재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm 723재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm,TO220 PKG 1,233재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 79 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF3 800V 450MOHM T0-220F 3,759재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19.3 nC - 55 C + 150 C 29.5 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET Easy Drive 650V 10A 360 mOhm 2,518재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PQFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG 786재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm 1,228재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF3 650V FRFET HF 82MOHM 1,787재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 79 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 250MOHM 2,025재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 19MOHM TO-247-4 438재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19.3 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 282 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 40MOHM TO-247-4 896재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247 446재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 337 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 650V FRFET,150M 2,140재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 43 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm 2,484재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT Power-88-4 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 360MOHM 5,744재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO247 268재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 158 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL 450재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220 1,585재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO 798재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 66 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88 960재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 95MOHM T 711재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-220 507재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm 866재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 154 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO 853재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 66 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement SuperFET III Tube