OptiMOS™ 듀얼 채널 수퍼 쿨 전력 MOSFET

Infineon Technologies OPTIMOS™ 듀얼 채널 수퍼 쿨 전력 MOSFET은 향상된 열 성능을 위한 이중 냉각 기능을 갖춘 SuperSO8 N-채널 전력 트랜지스터입니다. Infineon OptiMOS 전력 MOSFET은 효율성, 전력 밀도 및 비용 효율성을 높이도록 개발되었습니다. 이 장치는 낮은 온 상태 저항(RDS(on))과 낮은 역회복 전하(Qrr)가 특징으로, 견고성과 시스템 신뢰성을 개선하면서 전력 밀도를 높여 줍니다. +175°C 정격은 더 높은 작동 접합 온도에서 더 많은 전력을 공급하거나 동일한 작동 접합 온도에서 더 긴 수명을 제공하는 설계를 용이하게 합니다.

결과: 4
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 25,635재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 52 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 4,137재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 2,999재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 2,873재고 상태
10,000예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 55 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel