EVAL1ED3321MC12NTOBO1

Infineon Technologies
726-EVAL1ED3321MC12N
EVAL1ED3321MC12NTOBO1

제조업체:

설명:
전원 관리 IC 개발 도구 EiceDRIVER F3 eval board enhanced with short-circuit protection

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제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: 전원 관리 IC 개발 도구
RoHS: N
Evaluation Boards
Gate Driver
15 V
1ED3321MC12N
브랜드: Infineon Technologies
포장: Bulk
제품 유형: Power Management IC Development Tools
팩토리 팩 수량: 1
하위 범주: Development Tools
부품번호 별칭: EVAL-1ED3321MC12N SP005679300
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
9030890000
CNHTS:
8543709990
USHTS:
9030890100
TARIC:
9030890000
ECCN:
EAR99

Eval-1ED3321MC12N 평가 보드

Infineon Technologies Eval-1ED3321MC12N 평가 보드는 단락 보호 및 활성 게이트 드라이버 IC와 함께 하프 브리지 구성을 갖추고 있습니다. 이 보드는 IGBT, SiC 및 Si MOSFET과 같은 전원 스위치에 적합합니다. 전원 스위치 TRENCHSTOP™ IGBT IKW40N120H3 은 사전 조립되어 있습니다. 이 보드는 이중 펄스 테스트에 이상적입니다. 1ED3321MC12N은 EiceDRIVER™ 1ED332x 제품군(F3 강화 제품군)에 속합니다. 1ED3321은 단락 보호, 액티브 밀러 클램프 및 소프트 오프 기능을 제공합니다. 이 드라이버 IC는 별도의 소스/싱크 출력을 구현하고 유니폴라 또는 바이폴라 중 하나의 넓은 공급 전압 범위에서 작동하며 부품간 전파 지연 정합이 엄격합니다.

EiceDRIVER™ 강화 절연 게이트 드라이버 IC

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 강화 절연 게이트 드라이버 IC는 DESAT, 밀러 클램프, MOSFET용 소프트 오프, IGBT 및 SiC MOSFET과 같은 보호 기능을 제공합니다. 이러한 절연 드라이버는 CT(코어리스 변압기) 기술를 기반으로 하며, 300kV/μs에 이르는 세계적 수준의 CMTI(공통 모드 과도응답 내성)를 가능하게 합니다. 밀러 클램프 및 정확한 단락 보호(DESAT)는 CoolSiC™ SiC MOSFET 및 TRENCHSTOP™ IGBT7을 구동할 때 기생 턴온 및 단락을 방지하여 우수한 애플리케이션 안정성을 제공합니다. EiceDRIVER™ 절연 드라이버는 최대 9A의 구동 능력을 제공하므로, 부스터 솔루션이 필요 없습니다. 이 단일 채널 및 2채널 게이트 드라이버 IC는 X3 아날로그 제품군(1ED34xx) 및 X3 디지털 제품군 게이트 드라이버 IC로 제공됩니다. 1ED34xx 및 1ED38xx 게이트 드라이버 IC는 연면거리가 8mm인 공간 절약형 DS0-16 미세 피치 와이드 바디 패키지에서 9A 출력 전류와 40V최대 출력 전압을 제공합니다. 이 IC는 단락 클램핑 및 액티브 차단 기능을 갖추고 있으며 1500V DC 태양광 인버터 애플리케이션을 위한 최고의 절연 기능을 제공합니다.

개발 도구

Infineon Development Tools offer a wide selection to enable the engineer's unique design, regardless of the target application. These range from LED lighting, power management, sensors, analog & digital ICs, communication, optoelectronic, and embedded development tools.
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