결과: 18
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
IXYS IGBT TO247 650V 320A IGBT
데이터시트
1,080구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 300
배수: 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 320 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX8 Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 30A XPT
데이터시트
600구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 300
배수: 30

TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 94 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX44 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX4 TO-264(3)
데이터시트
재고 없음
최소: 1,000
배수: 1,000
Si TO-264-3 Through Hole Single 750 V 2.1 V - 20 V, 20 V 240 A 880 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX22 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 ISOPLUS247
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1
배수: 1

ISO247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 72 A 390 W - 40 C + 150 C Trench - 650V - 1200V GenX4 Tube
IXYS IGBT TO247 650V 110A XPT
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 250 A 880 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX5 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
데이터시트
재고 없음
최소: 300
배수: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 70 A 230 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX10 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
데이터시트
재고 없음
최소: 300
배수: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.5 V - 20 V, 20 V 62 A 230 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX11 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
데이터시트
재고 없음
최소: 300
배수: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 115 A 455 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX13 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
데이터시트
재고 없음
최소: 300
배수: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 110 A 455 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX15 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 180 A 625 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX20 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX4 TO-220AB/FP
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.95 V - 20 V, 20 V 38 A 160 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX31 Tube
IXYS IGBT TO263 1200V 30A XPT
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 106 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX42 Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 30A XPT
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 300
배수: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX43 Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 40A IGBT
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 300
배수: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 140 A 600 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX45 Tube
IXYS IGBT TO263 1200V 20A XPT
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 300
배수: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX48 Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 20A IGBT
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 300
배수: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 68 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX49 Tube
IXYS IGBT TO220 1KV 24A IGBT
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 300
배수: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1 kV 2.3 V - 20 V, 20 V 76 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX50 Tube
IXYS IGBT TO220 1KV 30A IGBT
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 300
배수: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 106 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX51 Tube