High Power TVS Diodes in SMD Package

Bourns High Power TVS Diodes in SMD Package provides a 20% reduction in peak clamping voltage compared to the equivalent through-hole device because of its lower lead inductance. The result is reduced electrical stress on the protected circuitry. In addition, assembly should be simplified and costs can be reduced by eliminating the extra design step in cases where the Bourns Power TVS diode is the only through-hole component on the printed circuit board.

결과: 7
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Bourns ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 3kA 58V BI Surface Mt High Temp 38재고 상태
최소: 1
배수: 1
Bidirectional 1 Channel 58 V SMD/SMT 110 V 64 V 3 kA 2.3 nF - 55 C + 125 C PTVS3-SH Tray
Bourns ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 3kA 76V BI Surface Mt High Temp 6재고 상태
최소: 1
배수: 1
Bidirectional 1 Channel 76 V SMD/SMT 140 V 85 V 3 kA 1.7 nF - 55 C + 125 C PTVS3-SH Tray
Bourns ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 10kA 58V BI Surface Mt High Temp
20예상 2026-08-12
최소: 1
배수: 1

Bidirectional 1 Channel 58 V SMD/SMT 110 V 64 V 10 kA 8 nF - 55 C + 125 C PTVS10-SH Tray
Bourns ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 10kA 76V BI Surface Mt High Temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Bidirectional 1 Channel 76 V SMD/SMT 140 V 85 V 10 kA 6 nF - 55 C + 125 C PTVS10-SH Tray
Bourns ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 86V 10kA BI-DIRECTIONAL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 400
배수: 400
: 400

Bidirectional 1 Channel 86 V SMD/SMT 157 V 96 V 10 kA 5 nF - 55 C + 125 C PTVS10-M Reel
Bourns ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 6 kA 58V BIDIRECT POWERTVS DIODE 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Bidirectional 1 Channel 58 V SMD/SMT 110 V 64 V 6 kA 4.5 nF - 55 C + 125 C PTVS6-SH Tray
Bourns ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 6 kA 75V BIDIRECT POWERTVS DIODE 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Bidirectional 1 Channel 76 V SMD/SMT 140 V 85 V 6 kA 3.3 nF - 55 C + 125 C PTVS6-SH Tray