IX4 초접합 전력 MOSFET

IXYS IX4 초접합 전력 MOSFET은 200V 드레인 소스 항복 전압을 제공하는 애벌랜치 등급의 N 채널 강화 모드 MOSFET입니다. IXYS IX4 초접합 전력 MOSFET은 TO-220(IXTP) 또는 TO-263(IXTA) 패키지로 제공되고 86A 또는 94A 연속 드레인 전류를 제공합니다.

결과: 6
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
IXYS MOSFET TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
데이터시트
2,003재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
데이터시트
667재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
데이터시트
623재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
데이터시트
719재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
데이터시트
1,222재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
데이터시트
674재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube