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SIJA22DP-T1-GE3

Name: Vishay SIJA22DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJA22DP-T1-GE3
Price: 740 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

78-SIJA22DP-T1-GE3

제조업체 번호:

SIJA22DP-T1-GE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET PPAKSO8 N-CH 25V 64A

데이터시트:

SIJA22DP-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK SO-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	25 V
Id - 연속 드레인 전류:	201 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	740 uOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 16 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.2 V
Qg - 게이트 전하:	83 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	48 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
브랜드:	Vishay / Siliconix
하강 시간:	6 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	155 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	TrenchFET Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	39 ns
표준 턴-온 지연 시간:	15 ns
단위 중량:	506.600 mg

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문서 필터:

데이터시트

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFET은 차세대 TrenchFET® 전력 MOSFET 제품군입니다. TrenchFET Gen IV MOSFET은 PowerPAK^® SO-8 및 1212-8S 패키지로 업계에서 낮은 온저항과 낮은 총 게이트 전하를 제공합니다. 이 TrenchFET Gen IV MOSFET은 극도로 낮은 R_DS(on)이 특징이며 전력 소비 감소를 위해 전도 손실을 낮춥니다. TrenchFET MOSFET은 또한 1/3의 크기이며 비슷한 효율을 자랑하는 공간 절약형 PowerPAK^® 1212-8 패키지와 함께 제공됩니다. 일반적인 애플리케이션으로는 고전력 DC / DC 컨버터, 동기식 정류, 태양광 마이크로인버터 및 모터 드라이브 스위치가 있습니다.

SiJA22DP N-채널 25V MOSFET

Vishay/Siliconix SiJA22DP N-채널 25V MOSFET은 PowerPAK SO-8L 패키지로 제공되며 단일 구성 설계 및 25V_DS 드레인-소스 전압을 제공합니다. 이 모듈은 TrenchFET® Gen IV 전력 소자가 특징이고, 초저 R_DS~Q_oss FOM을 위해 튜닝되었으며 100% R_g 및 UIS 테스트되었습니다. Vishay SiJA22DP N-채널 25V MOSFET은 동기식 정류, 고전력 밀도 DC/DC, 배터리 및 로드 스위치, 핫 스왑 스위치에 사용됩니다.