RQ3P270BLFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3P270BLFRATCB
Price: 2847 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

755-RQ3P270BLFRATCB

제조업체 번호:

RQ3P270BLFRATCB

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET HSMT N CHAN 100V

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

RQ3P270BLFRATCB 데이터시트

ECAD 모델:

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	₩1,810.4	₩18,104
	₩1,262.9	₩126,290
	₩1,070.2	₩535,100
	₩893.5	₩893,500
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	₩824.9	₩2,474,700
	₩781.1	₩4,686,600

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	HSMT-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	27 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	29 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	13.6 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	69 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	8.8 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	7.3 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	15 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	36 ns
표준 턴-온 지연 시간:	12 ns

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문서 필터:

데이터시트

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RQ3P270BLFRA 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA 전력 MOSFET은 AEC-Q101 인증을 받은 자동차 등급 MOSFET입니다. 이 장치는 100V 드레인-소스 항복 전압, 29mΩ 정적 드레인-소스 온 상태 저항 및 ±27A 연속 드레인 전류를 공급합니다. ROHM RQ3P270BLFRA 전력 MOSFET은 ADAS, 인포테인먼트, 조명 및 차체를 포함한 자동차 애플리케이션에 이상적입니다.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.