NDSH30120CDN

onsemi
863-NDSH30120CDN
NDSH30120CDN

제조업체:

설명:
SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

ECAD 모델:
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합계
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₩9,592.2 ₩95,922
₩9,577.6 ₩957,760
₩8,468 ₩3,810,600
₩8,336.6 ₩7,502,940
2,700 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
38 A
1.2 kV
1.75 V
91 A
1.5 uA
- 55 C
+ 175 C
NDSH30120CDN
Tube
브랜드: onsemi
Pd - 전력 발산: 158 W
제품 유형: SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량: 450
하위 범주: Diodes & Rectifiers
상표명: EliteSiC
Vr - 역 전압: 1.2 kV
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

D3 EliteSiC 다이오드

onsemi  D3 EliteSiC 다이오드는 고전력 PFC 및 출력 정류가 필요한 애플리케이션을 위한 솔루션입니다.  onsemi  D3의 최대 정격 전압은 1,200V입니다. 이 다이오드는 TO-247-2LD 및 TO-247-3LD의 두 가지 패키지 옵션으로 제공되므로 다양한 설계에 유연성을 제공합니다. D3 EliteSiC 다이오드는 직렬 저항 온도 종속성이 낮은 것으로 하여 고온 작동에 맞게 최적화되었으며 극한 조건에서도 일관되고 신뢰할 수 있는 성능을 보장합니다.

NDSH30120CDN SiC(탄화 규소) 쇼트키 다이오드

Onsemi NDSH30120CDN SiC(탄화 규소) 쇼트키 다이오드는 실리콘보다 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공하며 TO-247-3LD 패키지로 제공됩니다. NDSH30120CDN는 역방향 회복 전류가 없으며, 온도에 독립적인 스위칭 특성 및 탁월한 열 성능이 특징입니다. 시스템 이점으로는 높은 효율, 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI, 감소된 시스템 크기 및 비용을 들 수 있습니다. 이 EliteSiC 다이오드는 정온도 계수와 높은 서지 전류 용량을 제공합니다.