CoolGaN™ Gen 2 650V 전력 트랜지스터

Infineon Technologies  CoolGaN™ Gen 2 650V 전력 트랜지스터는 최대 650V의 전압 범위에서 전력 변환을 위한 고효율 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 기술을 특징으로 합니다. Infineon의 GaN 기술은 대량의 엔드 투 엔드 생산을 통해 e-모드의 개념을 성숙하게 합니다 이 선구적인 품질은 최고의 표준을 보장하고 가장 신뢰할 수 있는 성능을 제공합니다. 증가 모드 CoolGaN™ Gen 2 650V 전력 트랜지스터는 초고속 스위칭으로 시스템 효율성과 전력 밀도를 개선합니다.

결과: 12
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4,684재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4,892재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4,928재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 302재고 상태
1,800예상 2026-03-19
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1,465재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1,242재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1,674재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 415재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 761재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1,388재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 730재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
3,635주문 중
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement