NSS100xCL 범용 저VCE(sat) 트랜지스터

onsemi NSS100xCL General Purpose Low VCE(sat) Transistors are high-performance bipolar junction transistors designed for automotive and other demanding applications. The onsemi NSS100xCL transistors feature large current capacity, low collector-to-emitter saturation voltage [VCE(sat)], and high-speed switching. This device delivers exceptional efficiency and reliability. Housed in a compact, thin-profile LFPAK8 package (3.3mm x 3.3mm), it offers high allowable power dissipation for robust performance. Fully AEC-Q101-qualified and PPAP capable, the NSS100xCL series meets stringent automotive standards and is Pb-free, halogen-free/BFR-free, and RoHS compliant, ensuring eco-friendly design compatibility.

결과: 4
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 구성 최대 DC 콜렉터 전류 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-베이스 전압 VCBO 이미터-베이스 전압 VEBO 콜렉터-이미터 포화 전압 Pd - 전력 발산 게인 대역폭 제품 fT 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 100V 2.5A PNP LOW SATURATION BJT 2,970재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-8 PNP Single 4 A 100 V 120 V 7 V 300 mV 2.2 W 200 MHz - 55 C + 175 C NSS1001CL Reel, Cut Tape
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 100V 2.5A NPN LOW SATURATION BJT 2,870재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-8 NPN Single 4 A 100 V 120 V 6.5 V 2.2 W 200 MHz - 55 C + 175 C NSS1002CL Reel, Cut Tape
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 100V 2.5A PNP LOW SATURATION BJT 2,995재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-8 PNP Single 4 A 100 V 120 V 7 V 300 mV 2.2 W 200 MHz - 55 C + 175 C NSS1001CL Reel, Cut Tape
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 100V 2.5A NPN LOW SATURATION BJT 2,990재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-8 NPN Single 4 A 100 V 120 V 6.5 V 2.2 W 200 MHz - 55 C + 175 C NSS1002CL Reel, Cut Tape