650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).

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IXYS IGBT 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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6재고 상태
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
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265재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
IXYS IGBT TO263 1200V 20A XPT
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1,416예상 2026-10-28
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263HV-3
IXYS IGBT 650V/80A XPT Copacked TO-247
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242예상 2026-04-10
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 650V/118A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS IGBT 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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비재고 리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBT 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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비재고 리드 타임 48 주
최소: 300
배수: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT 650V/130A XPT C3-Class TO-263
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비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 50
IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)
IXYS IGBT TO247 650V 100A GENX3
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비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT 650V/200A XPT C3-Class TO-247
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리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT 650V/60A XPT C3 Copacked TO-247
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 650V/80A XPT C3-Class TO-247
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 650V/130A XPT C3-Class TO-247
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 650V/170A XPT C3-Class TO-247
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
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비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBT 650V/18A XPT IGBT C3 Copacked TO-220
데이터시트
리드 타임 27 주

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3