MOBL™ Async SRAMs

Infineon Technologies MOBL™ Async SRAM devices comprise a broad portfolio with densities ranging from 64Kb to 64Mb. The MOBL SRAMs are available in industry-standard voltage, bus width, and package options. The devices offer Standby Power Dissipation (maximum) specifications. The MOBL Asynchronous SRAMs are ideal for battery-powered and battery-backed solutions across various application segments. The MOBL SRAM devices are available in industrial, automotive, and radiation-hardened temperature grades.

결과: 126
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 LP SRAM 495재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM 62재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM 760재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM 338재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM 853재고 상태
1,500예상 2026-02-25
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 Tube

Infineon Technologies SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM 117재고 상태
1,560예상 2026-02-25
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-32 Tray

Infineon Technologies SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM 121재고 상태
3,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 1,500

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-32 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 45ns 128K x 16 Low Power SRAM 414재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 45ns 256K x 8 Low Power SRAM 295재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 Tube
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM 206재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 8Mb 45ns 1M x 8 Low Power SRAM 138재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3V 55ns 2M x 16 LP SRAM 72재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 32K X 8, 4.5 5.5V, 28PIN 330 MIL SOP, 55NS INDUSTRIAL TEMP TAPE AND REEL 5,104재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-28 Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 256Kb, 32K X 8, 4.5 5.5V, 28PIN 330 MIL SOP, 55NS INDUSTRIAL TEMP 3,222재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-28 Tube
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 LP SRAM 500재고 상태
500예상 2026-03-18
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 Tube
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM
599예상 2026-03-05
최소: 1
배수: 1
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 32Mb, 1.8V, 70ns MoBL SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 70 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 1.8V 55ns 256K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4 Mbit 256 k x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 3V 45ns 2M x 8 LP SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 1.8V 55ns 128K x 16 LP SRAM 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray