NVMFS5C604N 단일 N-채널 전력 MOSFET

onsemi NVMFS5C604N 단일 N채널 전력 MOSFET은 288A 연속 드레인 전류, 1.2mΩ, 10VRDS(ON), 60V 드레인-소스 전압을 특징으로 합니다. NVMFS5C604N은 컴팩트하고 효율적인 디자인을 위해 개발된 5mmx6mm 플랫 리드 패키지로 제공됩니다. onsemi AEC-Q101 인증 MOSFET은 PPAP 가능하며 자동차 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 포장
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 4,371재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 324재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 288 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 29재고 상태
4,500예상 2027-08-10
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 288 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V HEFET 4,508재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T6 60V HEFET 3,817재고 상태
3,000예상 2026-06-19
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO 97재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
1,500예상 2026-07-17
최소: 1
배수: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V HEFET 비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 40 A, 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 3.9 W, 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel