TGF3015-SM

Qorvo
772-TGF3015-SM
TGF3015-SM

제조업체:

설명:
GaN FET .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN

데이터시트:
ECAD 모델:
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Qorvo
제품 카테고리: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-EP-16
N-Channel
32 V
557 mA
15.3 W
브랜드: Qorvo
구성: Single
개발 키트: TGF3015-SM-EVB1
이득: 17.1 dB
최대 작동 주파수: 3 GHz
최소 작동 주파수: 30 MHz
습도에 민감: Yes
출력 전력: 11 W
포장: Tray
제품 유형: GaN FETs
시리즈: TGF3015
팩토리 팩 수량: 100
하위 범주: Transistors
기술: GaN
트랜지스터 타입: HEMT
Vgs - 게이트 소스 항복 전압: - 2.7 V
부품번호 별칭: TGF3015 1120419
단위 중량: 6.745 g
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데이터시트

PCN

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KRHTS:
8532331000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
MXHTS:
8542330201
ECCN:
EAR99

TGF3015-SM GaN HEMT

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