SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
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패키지/케이스
포장
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
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18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 310 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
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18 Mbit 512 k x 36 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA, 370 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
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배수: 36

18 Mbit 512 k x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 385 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
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배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
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배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 180 mA, 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 210 mA, 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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18 Mbit 1 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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18 Mbit 1 M x 18 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 300 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
재고 없음
최소: 36
배수: 36
18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 340 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
재고 없음
최소: 36
배수: 36
18 Mbit 1 M x 18 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 275 mA, 355 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
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최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
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최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
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최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 160 mA, 180 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
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최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
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최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M
데이터시트
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최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 190 mA, 195 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
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최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray